Memoria flash

La memoria flash TFS (Thin Film Storage) a 90nm è il mezzo grazie al quale i microcontrollori Freescale di nuova generazione potranno offrire le eccezionali capacità di risparmio energetico, di prestazioni e di flessibilità. L'obiettivo di Freescale è quello di portare una potente combinazione tecnologica (memoria flash TFS e celle Split gate) sul mercato, per offrire diversi vantaggi chiave per affrontare le tecnologie concorrenti.

Memoria flash TFS e celle Split Gate
Questo tipo di celle permette tempi di accesso inferiori a 30 ns, circa dal 30 al 50% più veloce di molte compagnie concorrenti. I transistor veloci e a bassa tensione offrono una programmazione flash e una operatività della periferica analogica sotto 1.71 V con una significativa riduzione dell'apporto di corrente. Le tecnologie concorrenti sono di solito limitate a 2.0 V O superiore.

FlexMemory
La nuova tecnologia FlexMemory di Freescale offre una soluzione estremamente versatile e potente per i progettisti che cercano una memoria EEPROM on-chip e/o un'addizionale memoria flash di dati. Veloce come la SRAM, essa non richiede nessun intervento dell'utente o del sistema per completare la programmazione e cancellare le funzioni quando viene utilizzata come una EEPROM byte-write/byte-erase ad alta resistenza. FlexMemory può anche offrire una memoria flash aggiuntiva (FlexNVM) per l'immagazzinamento di programmi o di dati in parallelo con il program flash principale. L'utente può configurare diversi parametri inclusi la dimensione e la resistenza.